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2022-11
氮化镓(第三代半导体材料黑科技)
GaN 即氮化镓,属第三代半导体材料,六角纤锌矿结构。GaN具有禁带宽度大、热导率高、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高强度和高硬度等特性,是现在世界上人们最感兴趣的半导体材料之一。GaN基材料在高亮度蓝、绿、紫和白光二极管,蓝、紫色激光器以及抗辐射、高温大功率微波器件等领域有着广泛的应用潜力和良好的市场前景。GaN基材料的应用gan基材料具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度大和介电常数小等特点,g